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本发明公开了一种BTS/BST/BZT多层结构介电调谐薄膜的制备方法，先将BTS、BST和BZT三种靶材及Pt/Ti/SiO2/Si衬底放入脉冲激光沉积系统；系统抽真空至1.0×10‑7‑1.0×10‑3Pa，衬底温度为600～800℃，激...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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