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本申请公开具有减小的泄漏电流的电子电路的装置及相关方法。一种装置包括集成电路(IC)，该IC包括互补金属氧化物半导体(CMOS)电路，该CMOS电路包括耦合至供电电压和至少一个输入信号的上拉网络。IC还包括第一金属氧化物半导体(MOS)晶体...
该专利属于硅实验室公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅实验室公司授权不得商用。

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