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本发明公开了一种具有高势垒插入层的晶体管器件，包括设有沟道层和栅电极的垂直场效应晶体管，在所述沟道层任一表面或沟道层内设有高势垒插入层,所述的高势垒插入层与沟道层电性连接且与栅电极绝缘连接，所述的高势垒插入层用于在栅电极的调控下，控制电子在...
该专利属于广东省半导体产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省半导体产业技术研究院授权不得商用。

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