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本发明公开了一种基于氧化自停止技术的p型栅增强型晶体管及其制备方法。所述的制备方法包括：提供包含第一半导体和第二半导体的异质结，异质结中形成有二维电子气；在异质结上依次生长形成第三半导体、第四半导体；在第四半导体上设置掩模，并使从掩模中暴露...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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