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本发明公开了一种沟槽型屏蔽栅功率器件的工艺方法，包含：第一步，在衬底上刻蚀沟槽，淀积介质层并进行第一次多晶硅淀积及刻蚀；第二步，对第一次多晶硅在无光刻胶定义的情况下进行第二次刻蚀；第三步，进行高密度等离子体氧化膜淀积；第四步，对高密度等离子...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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