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一种显指可调的无荧光粉单芯片白光LED器件及其制备方法，该器件包括：衬底；第一外延层；具有n个阵列排列的微/纳米孔洞的SiO2层，位于所述第一外延层的上方；n个含InGaN/GaN量子阱的三维六角梯形结构，位于各微/纳米孔洞上方；以及量子点...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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