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一种有效抑制双极性电流的双栅隧穿场效应晶体管，属于半导体器件技术领域。本发明提供的双栅隧穿场效应晶体管中，第一沟道区氧化层覆盖沟道区上表面部分区域，第二沟道区氧化层覆盖沟道区下表面部分区域，第一漏区氧化层覆盖在沟道区中未被第一沟道区氧化层覆...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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