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一种三维半导体存储器件包括包含单元阵列区域和接触区域的衬底、包含顺序地堆叠在衬底上的栅电极的堆叠结构、穿透堆叠结构的垂直结构、以及连接到接触区域中的栅电极的端部的单元接触插塞。栅电极的端部的上表面相对于单元阵列区域中的衬底的上表面具有锐角。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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