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本发明提供了LED以及形成具有各种结构构型以减轻所述LED侧壁的非辐射复合的LED的方法。所述的各种构型包括具有支柱结构的LED侧壁表面扩散、用于沿所述LED侧壁形成n‑p超晶格的调制掺杂分布和用于形成浅掺杂或再生长层的进入点的选择性蚀刻的...
该专利属于苹果公司所有，仅供学习研究参考，未经过苹果公司授权不得商用。

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