【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于减轻非辐射复合的LED侧壁处理
本文所述的实施方案涉及发光二极管(LED)。更具体地,实施方案涉及用于在LED侧壁处减轻非辐射复合的LED结构。
技术介绍
平板显示面板在移动电子器件、电视机和大型室外标牌显示器等各种电子设备中越来越受欢迎。对更高分辨率的显示器以及更薄、重量更轻并且成本更低、屏幕更大的电子设备的需求在不断上升。常规的有机发光二极管(OLED)技术在薄膜晶体管(TFT)衬底上具有发射有机层。常规的液晶显示器(LCD)技术在TFT衬底上具有液晶层,并且具有背光单元。最近,已经提出将基于发射无机半导体的微型LED结合到高分辨率显示器中。
技术实现思路
实施方案描述了发光结构(例如,LED)以及形成具有各种结构构型以减轻所述发光结构(例如,LED)侧壁的非辐射复合的发光结构(例如,LED)的方法。在一些实施方案中,发光结构构型将用于减轻载流子扩散到发光结构表面的发光结构侧壁表面扩散与用于内部限制电流注入区域的支柱结构结合。在一些实施方案中,发光结构包括在包覆层内调制掺杂分布和侧壁掺杂物分布以沿发光结构侧壁形成n-p超晶格。在一些实施方案中,发光结构包括选择性蚀刻包覆层以形成用于浅掺杂或再生长层的进入点。在实施方案中,发光结构(例如,LED结构)包括主体(例如,LED主体),该主体包括:掺杂有第一掺杂物类型的第一(例如,顶部)包覆层、阻挡层(例如,底部阻挡层)和介于第一包覆层和阻挡层之间的活性层。在此类实施方案中,支柱结构从主体的第一(例如,底部)表面伸出,并且支柱结构包括掺杂有与第一掺杂物类型相反的第二掺杂物类型的第二(例如,底部)包覆层。发光结构 ...
【技术保护点】
1.一种发光结构,包括:主体,所述主体包括:第一包覆层,所述第一包覆层掺杂有第一掺杂物类型;阻挡层;以及活性层,所述活性层介于所述第一包覆层和所述阻挡层之间;支柱结构,所述支柱结构从所述主体的第一表面伸出,其中所述支柱结构包括第二包覆层,所述第二包覆层掺杂有与所述第一掺杂物类型相反的第二掺杂物类型;以及限制区域,所述限制区域包括横跨所述主体的侧壁和所述主体的所述第一表面的掺杂物浓度,其中所述掺杂物浓度由所述第二掺杂物类型形成并且从所述主体的所述侧壁向所述发光结构的中心竖直轴线侵蚀并且从所述主体的所述第一表面向所述活性层侵蚀,并且所述掺杂物浓度向所述主体内的所述发光结构的中心竖直轴线横向地侵蚀通过所述支柱结构的侧壁。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.22 US 62/271,1891.一种发光结构,包括:主体,所述主体包括:第一包覆层,所述第一包覆层掺杂有第一掺杂物类型;阻挡层;以及活性层,所述活性层介于所述第一包覆层和所述阻挡层之间;支柱结构,所述支柱结构从所述主体的第一表面伸出,其中所述支柱结构包括第二包覆层,所述第二包覆层掺杂有与所述第一掺杂物类型相反的第二掺杂物类型;以及限制区域,所述限制区域包括横跨所述主体的侧壁和所述主体的所述第一表面的掺杂物浓度,其中所述掺杂物浓度由所述第二掺杂物类型形成并且从所述主体的所述侧壁向所述发光结构的中心竖直轴线侵蚀并且从所述主体的所述第一表面向所述活性层侵蚀,并且所述掺杂物浓度向所述主体内的所述发光结构的中心竖直轴线横向地侵蚀通过所述支柱结构的侧壁。2.根据权利要求1所述的发光结构,其中所述支柱结构从所述阻挡层的表面伸出,所述限制区域掺杂物浓度横跨所述阻挡层的所述表面,并且所述掺杂物浓度向所述阻挡层内的所述中心竖直轴线横向地侵蚀通过所述支柱结构的所述侧壁。3.根据权利要求1所述的发光结构,其中所述第一掺杂物类型为n型,所述第二掺杂物类型为p型,并且所述掺杂物浓度由选自由Mg和Zn构成的组的掺杂物形成。4.根据权利要求1所述的发光结构,还包括:适形钝化层,所述适形钝化层形成在所述主体的所述侧壁、所述支柱结构的所述侧壁以及与所述主体相对的所述支柱结构的表面上并且横跨所述主体的所述侧壁、所述支柱结构的所述侧壁以及与所述主体相对的所述支柱结构的表面;所述支柱结构的所述表面上的所述适形钝化层中的开口;以及导电触点,所述导电触点形成在所述支柱结构的所述表面上和所述适形钝化层的所述开口内。5.根据权利要求1所述的发光结构,其中所述掺杂物浓度在所述阻挡层内向所述中心竖直轴线侵蚀的深度超出在所述活性层内和所述第一包覆层内向所述中心竖直轴线侵蚀的深度。6.根据权利要求5所述的发光结构,还包括基部,所述基部包括第一表面,其中所述主体从所述基部的所述第一表面伸出,并且所述基部的所述第一表面宽于所述主体。7.根据权利要求6所述的发光结构,其中所述掺杂物浓度横跨所述基部的所述第一表面,并且向与所述基部的所述第一表面相对的所述基部的所述第二表面侵蚀。8.根据权利要求7所述的发光结构,还包括所述基部的所述第二表面上的第二导电触点。9.根据权利要求8所述的发光结构,其中所述导电触点通过焊接材料粘结到显示衬底上的接触垫。10.根据权利要求1所述的发光结构,其中所述掺杂物浓度在所述阻挡层和所述活性层内向所述中心竖直轴线侵蚀的深度超出在所述第一包覆层内向所述中心竖直轴线侵蚀的深度。11.根据权利要求10所述的发光结构,还包括基部,所述基部包括第一表面,其中所述主体从所述基部的所述第一表面伸出,并且所述基部的所述第一表面宽于所述主体。12.根据权利要求11所述的发光结构,其中所述掺杂物浓度横跨所述基部的所述第一表面,并且向与所述基部的所述第一表面相对的所述基部的所述第二表面侵蚀。13.根据权利要求12所述的发光结构,还包括所述基部的所述第二表面上的第二导电触点。14.根据权利要求13所述的发光结构,其中所述导电触点通过焊接材料粘结到显示衬底上的接触垫。15.一种发光结构,包括:主体,所述主体包括:第一包覆层,所述第一包覆层掺杂有第一掺杂物类型;第二包覆层,所述第二包覆层掺杂有与所述第一掺杂物类型相反的第二掺杂物类型;以及活性层,所述活性层介于所述第一包覆层和所...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·P·布尔,D·S·西佐弗,D·A·哈格尔,辛晓滨,
申请(专利权)人:苹果公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。