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一种可变带隙的AlCoCrFeNi高熵合金氧化物半导体薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。这种薄膜具有如下通式：(AlyCoCrFeNi)1‑xOx，x=0.3～0.7，y=0～1.0，磁控溅射靶材Al:Co:Cr:Fe:Ni的原子比为...
该专利属于大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学授权不得商用。

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