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本发明公开了一种高孔隙率纳米孔SiCN陶瓷材料及其制备方法,所述SiCN陶瓷材料孔隙率为80‑90%,比表面积300‑500m2/g,体积密度为0.1~0.3g/cm3,孔径10‑200nm。该SiCN纳米孔陶瓷材料的制备方法结合了先驱体制...该专利属于响水华夏特材科技发展有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过响水华夏特材科技发展有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种高孔隙率纳米孔SiCN陶瓷材料及其制备方法,所述SiCN陶瓷材料孔隙率为80‑90%,比表面积300‑500m2/g,体积密度为0.1~0.3g/cm3,孔径10‑200nm。该SiCN纳米孔陶瓷材料的制备方法结合了先驱体制...