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基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器及其制备方法技术
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下载基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器及其制备方法的技术资料
文档序号:18598144
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本公开提供了一种基于磷化铟基耦合脊阵列的半导体激光器,其由磷化铟基外延片基材加工而成,所述半导体激光器包括:量子阱有源层,位于所述半导体激光器中间,用于发射激光;N区结构层,位于量子阱有源层之下,用于提供电子以及对载流子和光场的限制;以及P...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。
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