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本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了一种石墨烯‑GaAs肖特基结太阳能电池及其制备方法。太阳能电池由下至上依次包括背电极、GaAs片、空穴传输层、石墨烯层、正电极；还包括钝化膜层。方法：(1)在GaAs片的一面镀上背电极，将GaAs片中镀...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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