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本发明提出一种具有P型二维材料栅极氮化镓基场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：在单晶衬底上依次外延缓冲层、沟道层、势垒层、界面控制层得到外延衬底；在外延衬底上的源极和漏极区域沉积源漏金属，并形成欧姆接触；在外延衬底上方沉积二维材料层；定义...
该专利属于北京华碳科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京华碳科技有限责任公司授权不得商用。

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