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本发明总体上涉及半导体存储器领域，并且具体地涉及包括静态随机存取存储器(SRAM)位单元(100)的存储器单元。通过在读取存取或写入存取以及空闲状态期间将读取存取晶体管端子连接到GND或VDD来减少读取路径中的泄漏电流。SRAM单元反相器在...
该专利属于艾克斯安耐杰克有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾克斯安耐杰克有限公司授权不得商用。

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