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本发明公开一种半导体元件及其制作方法。首先提供一基底，具有一上表面。在基底中形成至少一沟槽，并于沟槽中形成一阻障层以及一导电材料填满该沟槽。接着凹陷导电材料以及阻障层至低于该上表面，然后进行一氧化制作工艺，氧化暴露的导电材料以及阻障层以形成...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。