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本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS器件区，在所述PMOS器件区的所述半导体衬底中设置有第一源区和第一漏区；对所述第一源区和所述第一漏区进行第一离子注入，所述第一离子注入的...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。