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本发明涉及中子辐射技术领域，尤指一种应用于中子散射腔的屏蔽体及其设计方法；所述的屏蔽体为采用中子吸收材料制作成的中子吸收体，中子吸收体由四个不规则形状的内壁屏蔽体和若干个空间屏蔽体装配而成，上壁屏蔽体、下壁屏蔽体、左壁屏蔽体和右壁屏蔽体分别...该专利属于中国科学院高能物理研究所;东莞中子科学中心所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院高能物理研究所;东莞中子科学中心授权不得商用。