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本发明提供一种功率半导体器件的测试方法，在常规测试反向漏电流的项目中，增加±IGSS和IDSS项目设定，所述±IGSS和IDSS项目设定为在±IGSS和IDSS测定电压条件下测试反向漏电流，所述功率半导体的测试方法包括如下步骤：步骤1、确定...
该专利属于无锡昌德微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡昌德微电子股份有限公司授权不得商用。

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