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本发明涉及生长镓氮化物半导体层的方法。一种生长镓氮化物半导体层的方法包括：准备衬底；在该衬底上形成镓氮化物半导体点；以及在该镓氮化物半导体点上生长镓氮化物半导体层。该镓氮化物半导体层可从该衬底分离以用作镓氮化物半导体衬底。...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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