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本发明提供了一种半导体功率器件及其制作方法，涉及半导体集成电路技术领域，包括：N型衬底、N+区、P‑体区、PN交替超结区、N+源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层隔离、器件源极金属和器件漏极金属。其中，PN交替超结区由P+层与N+层纵向间隔...该专利属于储团结;王海韵;丛艳欣;李亚娜;汇佳网（天津）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过储团结;王海韵;丛艳欣;李亚娜;汇佳网（天津）科技有限公司授权不得商用。