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本实用新型提出一种能降低超结器件导通电阻的外延结构，在外延结构的剖视平面上，从所述第一导电类型外延层指向第一导电类型重掺杂衬底的深度方向上若干个第一导电类型注入区相连构成第一导电类型柱，若干个第二导电类型注入区相连构成第二导电类型柱，第一导...
该专利属于无锡橙芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡橙芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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