温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种镓烯的制备方法，其包括如下步骤：1)对Si衬底依次进行清洗、除气和退火处理，得到Si(111)‑7×7表面；2)加热镓源使镓原子以热蒸发的形式生长到Si(111)‑7×7表面，再进行原位退火处理，在Si(111)‑7×7表面...
该专利属于西南大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。