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本实用新型提出一种正面金属为银的瞬态电压抑制器，包括芯片本体，芯片本体的正面金属层采用铝铜或铝硅铜制作，背面金属层采用钛镍银制作，其中，正面金属层上具有附加金属层，附加金属层采用钛镍银制作。正面钛镍银中银的厚度大于3μm。附加金属层表面通过...
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