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一种形成存储器结构的方法（图3i‑3j），包括：提供分层半导体衬底（304），其具有接触区（302）、接触区上的源极选择栅极（306、SGS）层和SGS层上的半导体层的层叠堆叠（308）；在半导体衬底的层叠堆叠上形成漏极选择栅极（312、S...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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