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本发明的实施例包括微电子器件，其包括具有基于硅的衬底的第一管芯和耦合到第一管芯的第二管芯。在一个示例中，利用化合物半导体材料形成第二管芯。微电子器件包括利用多个电连接耦合到第一管芯的衬底。衬底包括用于在大约4GHz或更高的频率下发送和接收通...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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