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本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种全磁控溅射制备全透明顶栅结构薄膜晶体管的方法。室温下依次用射频磁控溅射在衬底上沉积一层Al2O3缓冲层，用射频磁控溅射沉积一层Nd‑IZO半导体层，用直流磁控溅射沉积一层ITO源漏电极，用射频磁控溅射...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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