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本发明公开一种基于晶圆级GaN器件原始衬底的转移方法，属于半导体工艺技术领域。通过在原片表面覆盖一层可去除的较厚保护支撑层，去除原衬底后，两圆片直接键合。该方法包括如下步骤：(1)对晶圆级GaN器件完成正面工艺后的表面覆盖保护支撑层；(2)...
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