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本发明公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底,该基底上具有一存储区,然后形成一沟槽于基底内,形成一阻障层于沟槽内,形成一导电层于阻障层上,进行一第一蚀刻制作工艺去除部分导电层,之后再进行一第二蚀刻制作工艺去除部分阻障层,其中第二蚀刻制...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。