温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：刻蚀第一功函数层，保留位于第二P区、第一N区以及第二N区的第一功函数层；在刻蚀第一功函数层之后，在第一N区、第二N区、第一P区以及第二P区上形成第二功函数层；刻蚀去除第二N区的第二功函数层，直至暴露...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。