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本发明提供一种闪存存储单元。该闪存存储单元包括硅衬底、导体、绝缘层和源漏，导体位于硅衬底的上方，导体分为第一导体和第二导体，第一导体位于第二导体之上，绝缘层将第一导体和第二导体分隔开并包围在内，其中，硅衬底分为第一N掺杂区、第二N掺杂区、第...
该专利属于北京同方微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京同方微电子有限公司授权不得商用。

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