温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种采用非选择性外延的自对准锗硅HBT器件的制造方法，淀积第一层SiO2层，打开锗硅单晶外延窗口，非选择性生长锗硅外延层；在所述锗硅外延层上端，依次淀积第二层SiO2层、多晶硅层；光刻和干法刻蚀所述SiO2/多晶硅叠层；进行第一...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。