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本发明公开了一种制备磁性隧道结阵列的方法，涉及磁性随机存储器制造技术领域，通过采用O2、O3、N2、H2或NH3等作为中性束源，采用PF3、NO、COF2和带羰基、羟基官能团的气体等中的一种或者几种作为反应气体，通过金属络合反应刻蚀磁性隧道...
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