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本发明公开了一种光子增强的场效应晶体管和集成电路，其中该光子增强的场效应晶体管包括：半导体层；设置在所述半导体层之中的源区和漏区；形成在所述半导体层之上的栅结构；形成在所述半导体层下表面的发光结构，其中，所述发光结构用于产生光子以激发所述半...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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