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本发明提供了一种改善阱注入前光刻胶残留的方法，包括以下步骤：a)在硅衬底上沉积氮化物，得到沉积有氮化层的硅衬底；b)将步骤a)得到的沉积有氮化层的硅衬底进行离子氧化处理，得到处理后的硅衬底；c)将步骤b)得到的处理后的硅衬底进行光刻工艺，得...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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