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文档序号:18311863

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本发明提供含螺旋状环形电极的垂直结构LED芯片及其制造方法。本发明在该衬底上利用外延沉积技术生长氮化镓外延层;在上述氮化镓外延层上沉积一反射电极层,然后沉积一电镀种子层;在上述电镀种子层上地涂覆一种非导电物质;在上述种子层上区域选择性地生长...
该专利属于华南理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过华南理工大学授权不得商用。

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