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本实用新型涉及一种互补型TFET100，包括：Si衬底101；Ge外延层102，设置于衬底101上表面；GeSn层103，设置于Ge外延层102上表面；P型基底104、N型基底105，设置于GeSn层103内；第一源区106、第一漏区107...该专利属于西安科锐盛创新科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过西安科锐盛创新科技有限公司授权不得商用。
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本实用新型涉及一种互补型TFET100，包括：Si衬底101；Ge外延层102，设置于衬底101上表面；GeSn层103，设置于Ge外延层102上表面；P型基底104、N型基底105，设置于GeSn层103内；第一源区106、第一漏区107...