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本发明一种水平式离子注入碳化硅高温退火装置。该装置的石英管退火室水平设置，两端由水冷法兰盘封闭；水冷法兰盘一端上设有退火室的进样门，进样门中心有一个小孔，是退火时保护气体的入口，进样门与法兰盘之间用型密封圈密封连接；水冷法兰盘另一端中心设有...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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