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掺杂镁的高质量ＩＩＩ－Ｖ氮化物层及其制法。一种Ｐ型氮化镓，氮化铟，或氮化铝层可通过氢化物气相外延（ＨＶＰＥ）方法在兰宝石基片上生产，ＨＶＰＥ过程使用一种金属供料混合物，它包括镁和ＩＩＩ族金属（Ｇａ，Ｉｎ，Ａｌ）。氮化镓，氮化铟，或氮化铝层可...
该专利属于CBL技术公司;松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过CBL技术公司;松下电器产业株式会社授权不得商用。

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