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本发明将公开一种抑制水热条件下ＺｎＯ晶体－ｃ轴方向生长的方法，是在利用水热法进行ＺｎＯ晶体的生长之前，对ＺｎＯ晶体进行下述步骤的处理：１）取ＺｎＯ晶体切割出ＺｎＯ晶片；２）将切割好的ＺｎＯ晶片的－ｃ面与由耐高温、耐腐蚀材料制成的阻挡片固连，...
该专利属于桂林矿产地质研究院所有，仅供学习研究参考，未经过桂林矿产地质研究院授权不得商用。

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