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具有气隙间隔物的半导体器件及制造其的方法技术
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文档序号:18206696
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一种制造半导体器件的方法包括:提供包括单元区和外围电路区的衬底,单元区包括位线结构、位线间隔物和下电极,外围电路区包括第一杂质区至第三杂质区;在外围电路区上形成层间绝缘膜;在层间绝缘膜上形成第一金属层;在第一杂质区与第二杂质区之间在第一金属...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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