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本发明公开了一种NOR闪存及其制作方法，该闪存包括存储单元，其包括层叠的栅极结构，该结构依次包括外延层、隧穿氧化层、浮栅、层间介质层、控制栅，浮栅和隧穿氧化层之间的界面形成浮栅边角，所述浮栅边角为圆滑形貌。该制作方法，包括在晶圆上形成存储单...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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