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本发明公开了一种薄膜压力传感器芯片及制造方法，制造方法包括准备弹性体材料；分割弹性体材料；将弹性体退火处理；研磨抛光；在原子薄膜沉积系统中沉积原子级的过渡层、绝缘层、薄膜电阻层、接触层后光刻形成应变电阻和补偿电阻；将光刻好的弹性体材料进行退...
该专利属于北京中航兴盛测控技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京中航兴盛测控技术有限公司授权不得商用。

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