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共蒸发结合后退火工艺制备ＡｌＳｂ薄膜，本项发明所属域为新型光电子材料。在开发新型太阳能电池材料的过程中，ＡｌＳｂ由于具有能隙宽度为１．６ｅＶ，可吸收太阳可见光谱能量的９８％因而受到人们的重视。目前制备高质量ＡｌＳｂ薄膜的方法和手段较少，主要...
该专利属于四川大学所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学授权不得商用。

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