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本公开实施例提供光刻图案化方法，包括涂布底层于基板上，其中底层包含富碳材料；形成中间层于底层上，其中中间层的硅浓度大于42重量％；涂布光敏层于中间层上；对光敏层进行曝光工艺；以及显影光敏层以形成图案化的光敏层。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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