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高阻III族氮化物半导体外延结构及其制备方法技术
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文档序号:18117597
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本公开提供了一种高阻III族氮化物半导体外延结构及其制备方法。其外延结构包括衬底和高阻III族氮化物外延层。本公开通过同时掺入Mg元素和C元素的方法实现III族氮化物层的高阻特性,以较低浓度的Mg补偿大部分的n型背景载流子,同时以较低浓度的...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。
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