温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括存储区，在所述半导体衬底的存储区上形成栅极叠层；在所述半导体衬底上形成包围栅极叠层的初始层间介电层，并在所述初始层间介电层中形成漏极底部接...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。