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本发明涉及在基体（２２）上形成类金刚石碳膜的方法，包括的步骤为：将所述基体暴露在一种烃类气体环境中，并且，在所述环境中，在高离子通量和可控的、低离子能量轰击的条件下，产生电子密度大于约５×１０↑［１０］／ｃｍ↑［３］和覆层厚度小于约２ｍｍ的...
该专利属于东北大学所有，仅供学习研究参考，未经过东北大学授权不得商用。

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