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本发明提供的非易失性存储器单元适用于Ⅲ族氮化物材料,且满足制备高密度全氮化物材料非易失性存储器件的要求。其中,Si3N4材料台面(7)作为阻抗开关层,实现存储功能。AlN材料台面(6)作为隧穿势垒层,缓解阻抗开关层(Si3N4材料台面)中存...该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。
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本发明提供的非易失性存储器单元适用于Ⅲ族氮化物材料,且满足制备高密度全氮化物材料非易失性存储器件的要求。其中,Si3N4材料台面(7)作为阻抗开关层,实现存储功能。AlN材料台面(6)作为隧穿势垒层,缓解阻抗开关层(Si3N4材料台面)中存...